En un avance importante que podría ayudar con aumentar la velocidad de nuestros aparatos favoritos, y haciendo tecnología mas pequeña y mas barata, los investigadores de Trinity College en Dublín han encontrado como almacenar bits multiples de información en una sola celda.
En lugar de que cada celda almacene una solo pieza de ’bit’ de información, el equipo-dirigido por el Profesor John Boland con investigadores Curtis O’Kelly y Jessamyn Fairfield de Trinity AMBER, la Fundación Científica Irlanda fundaron el centro de materials científicos, y la Escuela de Química- ha desarrollado una memoria multinivel en el cual es posible programar un número de bits almacenados en una sola celda. Memoria Multinivel incrementa la velocidad de comunicación reduciendo el número de celdas en la memoria.
Si su app favorita corre en un aparato móvil o una supercomputadora, el rendimiento no solo depende en el poder del cerebro-llamado procesador de velocidad. Para que funcione, el procesador tiene que comunicarse con eficacia con la memoria en el chip. Las propiedades de los alambres de metal conectando el procesador y la memoria prove una velocidad limite fundamental.
El Profesor John Boland, AMBER, explico:” Procesadores y memoria se comunican usando el lenguaje de código binario. Memoria de chip convencional almacena información en ‘1’ y ‘0’, lo cual refleja la presencia o ausencia de carga en la localidad de memoria.Por ejemplo, 2014 en lenguaje binario require de 11 celdas de memoria. Toma tiempo para que la computadora tenga acceso al númeo tan grande de celdas haciendo que el rendimiento se vea afectado. El nuevo proceso reduce el número de celdas requeridas.”
El esquema propuesto por los investigadores de AMBER operan con un principio diferente; la Resistencia a permitir un flujo, conocido como memoria resistiva la cual en última instancia dirige a racionalizar el proceso con menos celdas pero cada una con multiple niveles de memoria. Una ventaja particular de este nuevo proceso es la posibilidad de ajustar arbitrariamente el número de niveles de memoria en cada celda.
“El descubrimiento ofrece una multitud de posibilidades para el consumidor dirigiendo a electrónicos mas pequeños, mas baratos y ,mas rápidos. Habiendo demostrado seis niveles de memoria por celda, estamos convencidos que tecnología pude ser desarrollada para demostrar aun mas niveles de memoria por celda, Una memoria de lenguaje con mayor densidad puede incrementar la eficacia y velocidad de la tecnología de dispositivos desktop y móvil reduciendo el número de locaciones en la memoria.” Comento el Profesor Boland.
‘”Investigación futura será enfocada en integrar esta tecnología con la capacidad de la industria de fabricación existente , para que la sociedad pueda continuar disfrutando de los beneficios con tecnología nueva y mejorada,” concluyo el Profesor Bolan.
Imagen creditos: Universidad Notre Dame
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